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晶体管
VS-ETF150Y65N参考图片

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VS-ETF150Y65N

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • IGBT 模块 650V Vces 150A Ic 3 Levels Half-Bridge
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数量单价合计
1
¥543.3379
543.3379
5
¥532.5803
2662.9015
10
¥510.2967
5102.967
25
¥493.8552
12346.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
201 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
600 W
封装 / 箱体
EMIPAK-2B
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
商标
Vishay Semiconductors
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
60
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K
1:¥1.6159
10:¥1.4351
100:¥0.50737
1,000:¥0.33787
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:89375
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 12V 1.5A 6PIN
1:¥4.0002
10:¥3.3561
100:¥2.0566
1,000:¥1.582
3,000:¥1.356
参考库存:17027
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:20284
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:98201
晶体管
MOSFET N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
1:¥2.6103
10:¥1.8306
100:¥0.76049
1,000:¥0.52206
3,000:¥0.4068
参考库存:23383
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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