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晶体管
STBV42-AP参考图片

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STBV42-AP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
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库存:19,495(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4917
34.917
100
¥2.1357
213.57
1,000
¥1.6498
1649.8
2,000
¥1.4012
2802.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
0.4 V
最大直流电集电极电流
1 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STBV42
高度
4.5 mm
长度
4.8 mm
封装
Ammo Pack
宽度
3.8 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
1 A
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:22789
晶体管
MOSFET 60V P-Ch PowerTrench Integrated
1:¥10.2152
10:¥8.6784
100:¥6.6557
500:¥5.876
1,000:¥4.6443
2,500:¥4.6443
参考库存:25911
晶体管
MOSFET N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥18.5998
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
2,500:¥8.5315
5,000:查看
参考库存:7673
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET
1:¥10.7576
10:¥8.8366
100:¥6.78
参考库存:20225
晶体管
MOSFET PFET SPCL TR
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:500312
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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