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晶体管
2SK3074TE12LF参考图片

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2SK3074TE12LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS
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数量单价合计
1
¥22.4418
22.4418
10
¥18.0574
180.574
100
¥14.4414
1444.14
500
¥12.6786
6339.3
1,000
¥10.5316
10531.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
30 V
增益
14.9 dB
输出功率
630 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-Mini-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
530 MHz
系列
2SK3074
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
单位重量
50 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTA125TUA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 200K
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:46179
2N5021
InterFET
晶体管
JFET P-Ch -50V JFET 50mA 500mW 4mW 1nA
1:¥93.4397
10:¥76.614
100:¥63.5512
500:¥57.9351
参考库存:46184
NGTD23T120F2SWK
ON Semiconductor
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206:¥21.8994
250:¥20.8259
500:¥18.6676
1,000:¥15.7522
参考库存:113964
VS-GA200TH60S
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
12:¥2,773.8449
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DSC750500L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPLR PW TRANS FLAT LEAD 4.5x4.0mm
1,000:¥2.6329
参考库存:46196

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