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晶体管
NGTB40N120FL2WAG参考图片

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NGTB40N120FL2WAG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 1200V/40 FAST IGBT FSII T
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库存:38,002(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.2619
40.2619
10
¥34.1938
341.938
100
¥29.6625
2966.25
250
¥28.1257
7031.425
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-4
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
160 A
Pd-功率耗散
268 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
160 A
高度
21 mm
长度
16.13 mm
工作温度范围
- 55 c to + 175 C
宽度
5.21 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
30
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A FS3 LOW VC
1:¥43.1095
10:¥36.6572
100:¥31.7304
250:¥30.1258
500:¥27.0522
参考库存:6457
晶体管
MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGate
1:¥6.9156
10:¥5.7969
100:¥3.729
1,000:¥2.9945
2,500:¥2.5312
参考库存:29294
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single PNP -20V -6.2A 600mW 105MHz
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,000:¥1.5594
参考库存:11091
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 47KOhms 250MHz
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:34888
晶体管
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
2,500:¥5.7065
5,000:查看
参考库存:22285
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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