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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN, PNP
典型输入电阻器	47 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	EMT-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
最大工作频率	250 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA, - 100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
输出电压	50 mV, - 70 mV
商标	ROHM Semiconductor
通道模式	Enhancement
最大直流电集电极电流	100 mA, - 100 mA
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors
零件号别名	EMD62

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CPC3960ZTR	IXYS Integrated Circuits	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 600V N-Channel Depletion-Mode FET	1:¥5.989 10:¥5.2658 25:¥5.1302 50:¥4.9607 1,000:¥2.3391	参考库存:12037
CSD87313DMST	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V N CH MOSFET	1:¥15.142 10:¥12.8368 100:¥10.2152 250:¥10.2152 500:¥8.9157	参考库存:6789
STW70N60DM2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 600 V, 0.032 Ohm typ., 67 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package	1:¥76.7609 10:¥69.382 25:¥66.1615 100:¥57.404	参考库存:7936
SUM90220E-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-263	1:¥20.905 10:¥17.3681 100:¥13.447 500:¥11.752	参考库存:4393
IPZ40N04S5L2R8ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CHANNEL_30/40V	1:¥10.8367 10:¥9.2208 100:¥7.0512 500:¥6.2263 5,000:¥4.3618 10,000:查看	参考库存:72240