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产品分类

晶体管

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FD200R12KE3

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库存:5,962(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥771.8578
771.8578
5
¥757.6424
3788.212
10
¥723.6068
7236.068
25
¥699.47
17486.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1.04 kW
封装 / 箱体
IS5a ( 62 mm )-5
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.9 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FD200R12KE3HOSA1 SP000083495
单位重量
340 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH/100V/3.6A 1.05OHM
2,500:¥2.3165
10,000:¥2.2374
25,000:¥2.147
参考库存:50120
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS LOW NOISE
10,000:¥0.23052
20,000:¥0.20792
50,000:¥0.18419
100,000:¥0.15368
参考库存:50125
晶体管
MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp
1:¥15.2889
10:¥12.6786
100:¥9.831
500:¥8.6106
800:¥7.119
参考库存:11420
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KHS/CFM4F///REEL 13
50:¥3,872.3518
参考库存:50132
晶体管
JFET P-Ch JFET 30Vgd Engineering Hold
6,000:¥1.6837
9,000:¥1.6159
24,000:¥1.5594
45,000:¥1.5368
参考库存:50137
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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