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晶体管
ZXTP2009ZTA参考图片

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ZXTP2009ZTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V PNP Low Sat
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数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.4805
54.805
100
¥3.5369
353.69
1,000
¥2.825
2825
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7.5 V
最大直流电集电极电流
5.5 A
增益带宽产品fT
152 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTP200
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1.6 mm
长度
4.6 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.6 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 5.5 A
Pd-功率耗散
3000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT09S220-02NR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT09S220-02N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
250:¥822.7304
参考库存:44335
NGTD8R65F2WP
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/40A CC14 FAST RECT
1,112:¥3.1075
2,500:¥2.7685
10,000:¥2.6555
25,000:¥2.5764
参考库存:17330
SI3471DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 12V 6.8A 2.0W 31mohm @ 4.5V
3,000:¥2.6894
6,000:¥2.5538
9,000:¥2.4634
24,000:¥2.3843
参考库存:44342
PBSS9110D,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
45,000:¥0.50737
99,000:¥0.48364
参考库存:44347
FF200R12KE3_B2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 295A
10:¥859.0712
30:¥841.0138
100:¥798.9778
参考库存:44352

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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