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IPD60R3K4CEAUMA1

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¥3.4578
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¥2.8815
28.815
100
¥1.7515
175.15
1,000
¥1.356
1356
2,500
¥1.1639
2909.75
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
Vds-漏源极击穿电压
600 V
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS CE
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPD60R3K4CE SP001422856
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGT30X60T3G
Microsemi
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥397.9521
参考库存:37994
APTGT75H60T3G
Microsemi
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥461.266
参考库存:37999
QPD2194SR
Qorvo
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
100:¥1,124.8585
参考库存:38004
CXTA44 TR
Central Semiconductor
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Volt Trans 450Vcbo 400Vceo 1.2W
2,000:¥3.0623
10,000:¥2.9606
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A3T21H400W23SR6
NXP Semiconductors
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥829.9511
参考库存:38011

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