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晶体管
IKW50N60H3参考图片

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IKW50N60H3

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库存:9,181(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥44.7254
44.7254
10
¥38.0358
380.358
100
¥32.9621
3296.21
250
¥31.2784
7819.6
500
¥28.0466
14023.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.25 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
50 A
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N60H3FKSA1 IKW5N6H3XK SP000852244
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
参考库存:36382
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.6GHz GaN 90W 48V
1:¥415.6253
25:¥374.0526
100:¥374.0526
参考库存:29609
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
参考库存:25189
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 41A 8MOHM
1:¥4.6104
10:¥3.8307
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
1,500:¥1.5481
参考库存:20226
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.47K
1:¥3.0736
10:¥2.1696
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.65314
参考库存:21393
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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