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晶体管
2N7002DWH6327XTSA1参考图片

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2N7002DWH6327XTSA1

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库存:296,817(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥1.808
18.08
100
¥0.77631
77.631
1,000
¥0.5989
598.9
3,000
¥0.45313
1359.39
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
300 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
600 pC, 600 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
2 mm
系列
2N7002
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
1.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
200 mS, 200 mS
下降时间
3.1 ns, 3.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.3 ns, 3.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5.5 ns, 5.5 ns
典型接通延迟时间
3 ns, 3 ns
零件号别名
2N7002DW 2N72DWH6327XT H6327 SP000917596
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 100 V, 0.017 Ohm typ., 35 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
1:¥13.8312
10:¥11.752
100:¥9.379
500:¥8.2264
1,000:¥6.78
3,000:¥6.328
参考库存:1040
晶体管
MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms
1:¥30.1258
10:¥25.5832
100:¥22.2045
250:¥21.0519
参考库存:4022
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BISS LDSWITCH TAPE-7
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
3,000:¥0.59212
参考库存:10919
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 27A DPAK-2
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9267
1,000:¥2.3391
2,500:¥2.3391
参考库存:11546
晶体管
IGBT 晶体管 FS2 TIGBT excellent swtching performance
1:¥82.2188
10:¥74.3088
25:¥70.851
100:¥61.5511
参考库存:3158
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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