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晶体管
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BC856BT TR

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vcbo 65Vceo 5.0Vebo 100mA
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数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.3843
23.843
100
¥1.3673
136.73
1,000
¥0.99892
998.92
3,000
¥0.86106
2583.18
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-523
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
65 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
200 mV
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC856
直流电流增益 hFE 最大值
475
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
220
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BC856BT PBFREE TR
单位重量
2 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTC123JM,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
10,000:¥0.22261
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.1695
参考库存:48005
MRF8P29300HSR6
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230S
150:¥2,672.5743
参考库存:48010
SI5414DC-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 20V 6.0A 6.3W 17mohm @ 4.5V
3,000:¥2.1244
6,000:¥1.9775
9,000:¥1.9097
24,000:¥1.8306
参考库存:48015
STP12N65M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
1:¥12.9046
10:¥10.9836
100:¥8.7575
500:¥7.684
参考库存:5810
DZTA42Q-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Voltage Transistor
2,500:¥1.1865
参考库存:48022

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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