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晶体管
SIHA6N80E-GE3参考图片

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SIHA6N80E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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库存:7,143(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.3682
19.3682
10
¥16.0573
160.573
100
¥12.4526
1245.26
500
¥10.9158
5457.9
1,000
¥9.0626
9062.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
5.4 A
Rds On-漏源导通电阻
820 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
31 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual P-Channel 30V TSOP-6
1:¥4.9946
10:¥4.2036
100:¥3.1753
500:¥2.3504
3,000:¥1.6272
6,000:查看
参考库存:249988
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SIGNAL TRANSISTOR
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:28405
晶体管
MOSFET MOSFET, 40V, 120A, 2 90 nC Qg, TO-220AB
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6783
500:¥5.8986
1,000:¥4.6556
参考库存:2762
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP
1:¥44.7254
10:¥37.9567
100:¥32.883
250:¥31.1993
500:¥28.0466
参考库存:6839
晶体管
MOSFET 40V, 90A, 2.5 mOhm 89 nC Qg, I-Pak
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.7913
参考库存:13381
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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