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晶体管
ZTD09N50DE6QTA参考图片

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ZTD09N50DE6QTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V Dual NPN Low Sat 1A 7V Vebo
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数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.7178
57.178
100
¥3.6838
368.38
1,000
¥2.9493
2949.3
3,000
¥2.9493
8847.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
24 mV
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
215 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTD09N50
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
200 at 10 mA, 2 V
Pd-功率耗散
700 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
15 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥13.447
10:¥11.9102
100:¥9.4468
500:¥7.4467
1,000:¥5.9551
2,500:¥5.5257
参考库存:29478
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.075 Ohm 35A FDmesh II
1:¥88.6711
10:¥80.1396
25:¥76.4558
100:¥66.3875
250:¥63.393
参考库存:6725
晶体管
MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC
1:¥6.3732
10:¥5.2997
100:¥3.4239
1,000:¥2.7346
3,000:¥2.7346
参考库存:17002
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 400V 100MA
1:¥6.1472
10:¥5.0737
100:¥3.277
1,000:¥2.6216
2,000:¥2.2148
参考库存:5219
晶体管
MOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥12.5204
10:¥10.3734
100:¥8.0682
500:¥7.0851
1,000:¥5.876
3,000:¥5.876
参考库存:95526
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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