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晶体管
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IRGP50B60PDPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz
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数量单价合计
1
¥66.2406
66.2406
10
¥59.8561
598.561
25
¥57.0876
1427.19
100
¥49.5618
4956.18
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
370 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
75 A
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon / IR
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001536552
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSP 50 H6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1,000:¥1.2091
5,000:¥1.2091
参考库存:51880
BC848B RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.4577
100:¥0.92999
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.26103
参考库存:51885
BCP 51-16 H6433
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥3.7629
10:¥3.1753
100:¥1.9323
1,000:¥1.5029
4,000:¥1.2769
参考库存:51890
SMPU305
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -30V 50mA 350mW 2.8mW
582:¥11.6051
1,000:¥9.605
2,500:¥8.6106
10,000:¥8.2942
参考库存:51895
IRLR110TR
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR110TRPBF
2,000:¥10.4525
4,000:¥10.0683
参考库存:51900

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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