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晶体管
VS-GP300TD60S参考图片

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VS-GP300TD60S

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Ic 300A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench PT
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数量单价合计
1
¥1,150.9841
1150.9841
5
¥1,128.3954
5641.977
10
¥1,075.76
10757.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DIAP
安装风格
Chassis Mount
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
-
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
580 A
Pd-功率耗散
1.136 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
集电极最大连续电流 Ic
580 A
商标
Vishay Semiconductors
栅极—射极漏泄电流
+/- 500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
12
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
500:¥2,127.3945
参考库存:51412
晶体管
MOSFET N-Ch Dual MOSFET 25V VDSS 8V VGSS
3,000:¥0.40002
9,000:¥0.34578
24,000:¥0.32318
45,000:¥0.29945
参考库存:51417
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 22K 47K
3,000:¥0.27685
9,000:¥0.23843
24,000:¥0.22261
45,000:¥0.20792
参考库存:51422
晶体管
MOSFET 25V 16.2A 5.0W 10.5mohm @ 10V
2,500:¥3.6612
5,000:¥3.4804
10,000:¥3.3448
25,000:¥3.2431
参考库存:51427
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 31V-40V
2,500:¥2.4747
参考库存:51432
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    4小时快速发货

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