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晶体管
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NPT2021

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT
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数量单价合计
1
¥562.0846
562.0846
2
¥552.9429
1105.8858
5
¥541.1118
2705.559
10
¥532.4221
5324.221
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN Si
增益
14.2 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
160 V
Vgs-栅源极击穿电压
3 V
Id-连续漏极电流
14 mA
输出功率
45 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
TO-272
封装
Tray
配置
Single
工作频率
2.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
商标
MACOM
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
340 mOhms
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 1.8 V
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMST5088 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 275mW
15,000:¥0.46895
30,000:¥0.43844
45,000:¥0.39211
105,000:¥0.37629
参考库存:442325
APTGLQ150A120TG
Microsemi
晶体管
IGBT 模块
100:¥699.0858
参考库存:42437
STB70NF3LLT4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 30 Volt 70 Amp
2,000:¥3.4239
10,000:¥3.2883
26,000:¥3.1866
参考库存:42442
MAAM-009455-TR3000
MACOM
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB
3,000:¥49.7878
参考库存:42447
SIHA22N60EL-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1,000:¥16.1364
2,000:¥15.368
5,000:¥14.8256
参考库存:42452

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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