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晶体管
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MRF1511NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
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数量单价合计
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¥83.7556
83.7556
10
¥76.9982
769.982
25
¥73.6082
1840.205
100
¥65.088
6508.8
1,000
¥51.5619
51561.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
13 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1.83 mm
长度
6.73 mm
工作频率
175 MHz
系列
MRF1511NT1
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.97 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
62.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
零件号别名
935314119515
单位重量
280 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FQD5P10TM-X
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET P-CH/100V/3.6A 1.05OHM
2,500:¥2.3165
10,000:¥2.2374
25,000:¥2.147
参考库存:50120
BC849C,235
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS LOW NOISE
10,000:¥0.23052
20,000:¥0.20792
50,000:¥0.18419
100,000:¥0.15368
参考库存:50125
IRF620STRRPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp
1:¥15.2889
10:¥12.6786
100:¥9.831
500:¥8.6106
800:¥7.119
参考库存:11420
AFV121KHSR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KHS/CFM4F///REEL 13
50:¥3,872.3518
参考库存:50132
CMPFJ176 TR
Central Semiconductor
晶体管
JFET P-Ch JFET 30Vgd Engineering Hold
6,000:¥1.6837
9,000:¥1.6159
24,000:¥1.5594
45,000:¥1.5368
参考库存:50137

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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