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晶体管
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MRF1511NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
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数量单价合计
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83.7556
10
¥76.9982
769.982
25
¥73.6082
1840.205
100
¥65.088
6508.8
1,000
¥51.5619
51561.9
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
13 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1.83 mm
长度
6.73 mm
工作频率
175 MHz
系列
MRF1511NT1
类型
RF Power MOSFET
宽度
5.97 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
62.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
零件号别名
935314119515
单位重量
280 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TGF2954
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
暂无价格
参考库存:57732
RMP6N60LD-T
Rectron
晶体管
MOSFET D-PAK MOSFET
2,500:¥2.1696
5,000:¥1.9775
10,000:¥1.808
25,000:¥1.7741
参考库存:57737
ALD910020SAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V
50:¥21.6734
100:¥20.2835
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:57742
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual P&N-Ch. Pair
暂无价格
参考库存:57747
STP140NF55
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.2888
参考库存:57752

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    50万现货SKU

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