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产品分类

晶体管
DMTH6010LK3Q-13参考图片

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DMTH6010LK3Q-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 70A
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数量单价合计
1
¥8.8366
8.8366
10
¥7.5258
75.258
100
¥5.7856
578.56
500
¥5.1189
2559.45
1,000
¥4.0341
4034.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
41.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMTH6010
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
9.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23.4 ns
典型接通延迟时间
5.7 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFE6VP6600GN/FM4///REEL 13 Q2 DP
250:¥654.5186
参考库存:49831
晶体管
达林顿晶体管 . .
7,500:¥1.1639
10,000:¥1.09158
25,000:¥1.02943
50,000:¥1.00683
参考库存:49836
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
8,000:¥1.5707
参考库存:49841
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 100K
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
参考库存:49846
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 4.7K 47K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:49851
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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