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晶体管

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DD1000S33HE3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 模块 IHM-B Module 3300V 1000A
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数量单价合计
1
¥11,753.9097
11753.9097
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
2
子类别
IGBTs
零件号别名
DD1000S33HE3BPSA1 SP001181830
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
参考库存:21178
晶体管
MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥8.5315
10:¥7.2885
100:¥5.5935
500:¥4.9381
3,000:¥3.4578
9,000:查看
参考库存:19930
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥31.8886
10:¥27.0522
100:¥23.4362
250:¥22.2836
500:¥19.9784
参考库存:4927
晶体管
MOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2
1:¥15.9104
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.4468
1,000:¥7.8422
参考库存:9784
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
1:¥57.5509
10:¥52.0252
25:¥49.5618
100:¥43.0304
1,000:¥32.657
2,000:查看
参考库存:9616
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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