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晶体管
D3S099N65B-U参考图片

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D3S099N65B-U

  • D3
  • 新批次
  • MOSFET 99 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220
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库存:6,943(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.5043
29.5043
10
¥23.6622
236.622
100
¥21.5943
2159.43
250
¥19.436
4859
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
D3 Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
35.5 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
62.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
281 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
D3
下降时间
63 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
61 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
81 ns
典型接通延迟时间
41 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:26984
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
1:¥2.7685
10:¥1.7741
100:¥0.76049
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:8936
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTA123JQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
5,000:¥0.29154
参考库存:28338
晶体管
MOSFET N-Ch 60 V 0.017 Ohm 7.5 A STripFET II
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.7631
500:¥6.8365
2,500:¥5.2771
5,000:查看
参考库存:44880
晶体管
MOSFET PMV450ENEA/TO-236AB/REEL 7" Q3
1:¥2.3843
10:¥1.6272
100:¥0.68365
1,000:¥0.46104
3,000:¥0.3616
参考库存:78342
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

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    4小时快速发货

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