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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	P-Channel
Vds-漏源极击穿电压	50 V
Id-连续漏极电流	130 mA
Rds On-漏源导通电阻	10 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压	800 mV
Vgs - 栅极-源极电压	5 V
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	200 mW
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	2.2 mm
产品	MOSFET Small Signal
系列	BSS84
晶体管类型	1 P-Channel
类型	Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度	1.35 mm
商标	Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值	0.05 S
产品类型	MOSFET
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	18 ns
典型接通延迟时间	10 ns
单位重量	5 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RJK0455DPB-00#J5	Renesas Electronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET JET Series MOSFET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF	1:¥17.5941 10:¥15.9104 25:¥14.2154 100:¥12.7577 2,500:¥7.6727 5,000:查看	参考库存:41629
SI6413DQ-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V 8.8A 1.5W 10mohm @ 4.5V	3,000:¥7.1642 6,000:¥6.9043 9,000:¥6.6331	参考库存:41634
TSM033NB04LCR RLG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V 121A Single N-Chan Pwr MOSFET	5,000:¥6.4297 10,000:¥6.3054	参考库存:41639
6MS30017E43W38169	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块	1:¥251,518.0668	参考库存:41644
STU3LN62K3	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 620V 2.5 Ohm 2.5A SuperMESH 3	1:¥9.9101 10:¥7.684 100:¥6.1133 500:¥5.5709	参考库存:41649