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晶体管
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UF28150J

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
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1
¥2,069.9114
2069.9114
10
¥2,037.7968
20377.968
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
8 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
375-04
封装
Tray
配置
Dual
工作频率
100 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
389 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
10
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
6 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF150R12ME3G
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A
1:¥772.7844
5:¥758.6368
10:¥724.443
25:¥700.3175
参考库存:1761
AUIRFR9024N
Infineon / IR
晶体管
MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 175mOhms
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.667
500:¥5.8986
参考库存:16078
NGTB35N60FL2WG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 600V/35A FAST IGBT FSII T
1:¥32.1146
10:¥27.2782
100:¥23.6622
250:¥22.4418
500:¥20.1366
参考库存:1870
FDMS9410-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET NMOS PWR56 40V 4.4 MOHM
1:¥9.6841
10:¥8.2264
100:¥6.3054
500:¥5.5709
3,000:¥3.8985
9,000:查看
参考库存:10792
FDG6318PZ
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET Dual PCh Digital
1:¥3.9211
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.06785
参考库存:421734

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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