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晶体管
BSC12DN20NS3G参考图片

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BSC12DN20NS3G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:29,788(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9157
8.9157
10
¥7.6614
76.614
100
¥5.8873
588.73
500
¥5.198
2599
5,000
¥3.6386
18193
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
11.3 A
Rds On-漏源导通电阻
108 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
BSC12DN20NS3GATMA1 SP000781774
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 10K x 10Kohms
暂无价格
参考库存:51741
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥88.8293
250:¥81.0662
500:¥75.9134
1,000:¥67.6983
参考库存:51746
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥965.9579
参考库存:51751
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 0.5A 80V Gen Pur
6,000:¥0.58421
10,000:¥0.52206
24,000:¥0.49155
50,000:¥0.43053
100,000:¥0.41471
参考库存:51756
晶体管
MOSFET N-Ch -30V FET 2400pF -11A 1.9W
暂无价格
参考库存:51761
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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