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晶体管
IPB80N08S2L07ATMA1参考图片

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IPB80N08S2L07ATMA1

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库存:4,445(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.2101
21.2101
10
¥18.0574
180.574
100
¥14.4414
1444.14
500
¥12.5995
6299.75
1,000
¥10.4525
10452.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
233 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
IPB80N08S2L-07 IPB8N8S2L7XT SP000219051
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench SyncFET
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥6.9947
500:¥6.1811
1,000:¥4.8816
2,500:¥4.8816
参考库存:6543
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual NPN
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:29770
晶体管
MOSFET N-CH/600V 3A/3.6OHM
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
参考库存:21667
晶体管
MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
1:¥12.2944
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥7.3111
800:¥7.3111
参考库存:7389
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 12A 30V
1:¥4.6104
10:¥3.7855
100:¥2.4408
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.6498
参考库存:19816
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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