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晶体管
AFT09MS007NT1参考图片

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AFT09MS007NT1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LANDMOBILE 7W PLD1.5W
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库存:11,492(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.51
30.51
10
¥27.9675
279.675
25
¥25.4363
635.9075
100
¥22.8938
2289.38
1,000
¥17.1308
17130.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
400 mV, 30 V
增益
15.2 dB
输出功率
7.3 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PLD-1.5
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
870 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
114 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935318254515
单位重量
280 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
1:¥7.2207
10:¥5.8421
100:¥4.4296
500:¥3.6612
3,000:¥2.6555
6,000:查看
参考库存:64144
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
1:¥16.9048
10:¥14.0572
100:¥10.8367
500:¥9.5259
3,000:¥9.5259
参考库存:19131
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 30 / 40
1:¥41.7196
10:¥35.5046
100:¥30.736
250:¥29.1992
参考库存:20968
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8
1:¥7.8422
10:¥6.7122
100:¥5.1528
500:¥4.5539
1,500:¥3.1866
9,000:查看
参考库存:5305
晶体管
MOSFET FET 30V 1.3 MOHM PQFN33
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
3,000:¥6.0116
6,000:查看
参考库存:44672
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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