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产品分类

晶体管
BFR 360F H6327参考图片

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BFR 360F H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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库存:80,237(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.9154
2.9154
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.9605
96.05
1,000
¥0.73789
737.89
3,000
¥0.63054
1891.62
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR360
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
35 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
160
工作频率
3.5 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Infineon Technologies
增益带宽产品fT
14 GHz
Pd-功率耗散
210 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR360FH6327XTSA1 BFR36FH6327XT SP000750428
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
SCR Silicon Controlled Rectifier
1,000:¥0.94468
10,000:¥0.94468
25,000:¥0.86784
50,000:¥0.82942
100,000:¥0.78422
参考库存:41423
晶体管
MOSFET PTNG 80/20V Nch Power Trench MOSFET
1:¥20.6677
10:¥17.515
100:¥15.2098
250:¥14.4414
3,000:¥10.3734
6,000:查看
参考库存:41428
晶体管
MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
暂无价格
参考库存:41433
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥2.9945
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:41438
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd
10,000:¥0.50737
20,000:¥0.47686
参考库存:41443
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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