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晶体管
IGW30N60TPXKSA1参考图片

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IGW30N60TPXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
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库存:4,412(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.5888
24.5888
10
¥20.905
209.05
100
¥18.1365
1813.65
250
¥17.2099
4302.475
500
¥15.4471
7723.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
53 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW30N60TP SP001379674
单位重量
6.054 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 600A
1:¥1,353.8417
5:¥1,321.2638
10:¥1,288.4486
25:¥1,270.3912
参考库存:4241
晶体管
MOSFET BUK966R5-60E/D2PAK/REEL 13" Q1
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9495
800:¥5.4918
参考库存:28173
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3
1:¥15.9104
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.4468
1,000:¥7.8422
参考库存:39075
晶体管
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC
1:¥17.2099
10:¥14.5996
100:¥11.6842
500:¥10.2152
800:¥8.4524
参考库存:27402
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -60V
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:16682
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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