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晶体管
HGTG20N60A4参考图片

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HGTG20N60A4

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库存:8,096(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.0413
35.0413
10
¥29.8094
298.094
100
¥25.8205
2582.05
250
¥24.5097
6127.425
500
¥21.9785
10989.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
290 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG20N60A4
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG20N60A4_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 100 Volt 6 Amp
1:¥7.2207
10:¥6.2263
100:¥4.7799
500:¥4.2262
2,500:¥2.9606
10,000:查看
参考库存:43935
晶体管
MOSFET 600V NCH MOSFET
1:¥17.2099
10:¥14.5996
100:¥11.6842
500:¥10.2152
参考库存:7627
晶体管
MOSFET 30V 28A 0.004Ohm
1:¥13.673
10:¥12.9046
3,000:¥12.9046
参考库存:31769
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vgs
1:¥17.3681
10:¥14.7578
100:¥11.8311
500:¥10.2943
4,800:¥7.684
9,600:查看
参考库存:68111
晶体管
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms
1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥15.2889
250:¥14.5205
参考库存:7318
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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