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晶体管
HGTG20N60A4参考图片

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HGTG20N60A4

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库存:8,096(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.0413
35.0413
10
¥29.8094
298.094
100
¥25.8205
2582.05
250
¥24.5097
6127.425
500
¥21.9785
10989.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
Pd-功率耗散
290 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG20N60A4
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
70 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG20N60A4_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET
1:¥7.7631
10:¥6.5653
100:¥5.0398
500:¥4.4522
1,000:¥3.5143
3,000:¥3.5143
参考库存:13547
晶体管
MOSFET Power MOSFET - CoolMOS
1:¥111.7231
10:¥101.587
25:¥93.903
50:¥88.8293
参考库存:3499
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MATCHED PAIR
1:¥3.9211
10:¥3.2205
100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
10,000:¥1.2091
20,000:查看
参考库存:33216
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,510.0642
2:¥1,473.7121
5:¥1,452.1178
10:¥1,431.5292
参考库存:3348
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power Transistor Darlington
1:¥99.3496
10:¥98.3552
25:¥91.0554
100:¥83.6765
参考库存:3645
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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