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晶体管
RS1G260MNTB参考图片

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RS1G260MNTB

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
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库存:15,627(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.6786
12.6786
10
¥10.7576
107.576
100
¥8.6106
861.06
500
¥7.5032
3751.6
2,500
¥5.7969
14492.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
11.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15.2 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
25.1 ns
零件号别名
RS1G260MN
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V09H400-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
250:¥782.0052
参考库存:39604
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
25:¥468.95
50:¥455.8872
100:¥443.5928
参考库存:39609
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V PNP 45Vceo 5.0Vebo 100mA 350mW
17,500:¥0.3842
28,000:¥0.3616
52,500:¥0.33787
101,500:¥0.29154
参考库存:39614
晶体管
MOSFET 650V N channel Mosfet
4,000:¥3.1979
5,000:¥3.0397
10,000:¥2.9719
25,000:¥2.9154
参考库存:39619
晶体管
JFET JFET N-Channel Reel of 1000
1,000:¥8.7575
2,000:¥7.8422
10,000:¥7.4919
参考库存:39624
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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