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晶体管
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SD1485

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库存:4,047(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2,204.3814
2204.3814
10
¥2,022.813
20228.13
25
¥1,815.345
45383.625
50
¥1,607.877
80393.85
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
25 A
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M175
封装
Tray
工作频率
170 MHz to 230 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
385 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 180Vcbo 160Vceo 6.0V 1.0A 1.2W
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.8419
1,000:¥1.3786
2,000:¥1.1752
参考库存:9644
晶体管
JFET JFET N-Channel Reel of 1000
1,000:¥17.8314
2,000:¥16.9048
5,000:¥16.2155
参考库存:39756
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 8.7A DPAK-2
2,500:¥8.2942
5,000:¥7.9891
10,000:¥7.684
参考库存:39761
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
6,000:¥3.5482
12,000:¥3.4239
24,000:¥3.3109
参考库存:39766
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥875.5127
参考库存:39771
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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