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晶体管
IRFP2907ZPBF参考图片

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IRFP2907ZPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 75V 90A 4.5mOhm 180nC Qg
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数量单价合计
1
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26.668
10
¥22.6678
226.678
100
¥19.6733
1967.33
250
¥18.5998
4649.95
500
¥16.6788
8339.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
180 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
310 W
配置
Single
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
180 S
下降时间
100 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
140 ns
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
97 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
SP001571048
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRLML6402GTRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl
暂无价格
参考库存:43780
APTGT200DH60G
Microsemi
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IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥801.3621
参考库存:43785
2SA1943-O(Q)
Toshiba
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 230V 15A
暂无价格
参考库存:11680
AUIRLR3705Z
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
3,000:¥7.4693
6,000:¥7.1868
9,000:¥6.9156
参考库存:43792
VS-GB100TH120U
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
12:¥2,549.9354
36:¥2,510.747
参考库存:43797

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