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晶体管
DMN6140L-13参考图片

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DMN6140L-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A
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数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥1.7628
17.628
100
¥0.75258
75.258
1,000
¥0.58421
584.21
10,000
¥0.39211
3921.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
140 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN614
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
2.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.6 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16.3 ns
典型接通延迟时间
2.6 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFU550VL
Nexperia
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥1.04525
20,000:¥0.9831
50,000:¥0.9605
参考库存:49184
BUK9Y2R8-40HX
Nexperia
晶体管
MOSFET BUK9Y2R8-40H/SOT669/LFPAK
1,500:¥4.3844
3,000:¥3.8872
10,500:¥3.7403
参考库存:49189
AGR19180EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 38Watt Gain 14.5dB
10:¥968.184
30:¥857.5344
50:¥774.5472
100:¥746.8848
参考库存:49194
AFV10700GSR5
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV10700GS/CFM4///REEL 13
50:¥3,124.4726
参考库存:49199
DMC961040R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
8,000:¥1.5707
参考库存:49204

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    50万现货SKU

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