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晶体管
TPS1120DR参考图片

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TPS1120DR

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
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库存:20,642(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.5996
14.5996
10
¥12.4526
124.526
100
¥9.9892
998.92
500
¥8.7575
4378.75
2,500
¥6.7122
16780.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
15 V
Id-连续漏极电流
1.17 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
2 V, - 15 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
840 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
TPS1120
晶体管类型
2 P-Channel
类型
PMOS Switches
宽度
3.9 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
76 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Pch -45V -2.0A Power MOSFET
1:¥3.6838
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:23334
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4012
参考库存:8711
晶体管
MOSFET P-Ch NexFET Power MOSFET
1:¥2.9945
10:¥2.2261
100:¥1.2204
250:¥1.2204
1,000:¥0.91417
参考库存:12498
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 100mA HFE/450
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
2,000:¥0.26103
参考库存:44830
晶体管
MOSFET P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:148612
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

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    4小时快速发货

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