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晶体管
SPB18P06P G参考图片

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SPB18P06P G

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库存:8,090(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.8366
8.8366
10
¥7.5597
75.597
100
¥5.8082
580.82
500
¥5.1302
2565.1
1,000
¥4.0567
4056.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
18.7 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
- 21 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
81.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SIPMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
SPB18P06
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
5 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.8 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SP000102181 SPB18P06PGATMA1 SPB18P6PGXT
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 80V 300mW
1:¥3.1527
10:¥2.0453
100:¥0.87575
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:176642
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9947
500:¥6.1811
1,000:¥4.8816
参考库存:9129
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
1:¥53.4038
10:¥48.251
25:¥46.0249
100:¥39.9568
参考库存:8016
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 5A 50V
1:¥6.8365
10:¥5.8082
100:¥4.4635
500:¥3.955
参考库存:9948
晶体管
MOSFET 20V Dual N channel MOSFET
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥3.4239
500:¥2.5086
2,500:¥1.7176
5,000:查看
参考库存:28415
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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