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晶体管
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ULN2002ANE4

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
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库存：9,992(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.6049
76.049
100
¥5.876
587.6
500
¥5.1867
2593.35
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Array 7
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PDIP-16
最小工作温度
- 20 C
最大工作温度
+ 70 C
系列
ULN2002A
封装
Tube
高度
4.57 mm
长度
19.3 mm
工作温度范围
- 20 C to + 70 C
宽度
6.35 mm
商标
Texas Instruments
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
单位重量
1 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM070NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 40V 75A Single N-Chan Pwr MOSFET
1:¥8.3733
10:¥7.3789
100:¥5.6613
500:¥4.1923
2,500:¥2.9606
5,000:查看
参考库存:50635
FF900R12IP4V
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥4,307.0402
5:¥4,047.4679
参考库存:7223
2SC5729T106Q
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:50642
R5011ANX
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Silicon N-channel MOSFET, 10V Drive, N-Channel, Contains G-S protection diode, Low on-resistance, Fast switching, Wide SOA
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.1303
1,000:¥5.6274
参考库存:50647
2N6377
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥690.4865
参考库存:50652

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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