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晶体管
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IRF3808PBF

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库存：8,382(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.7523
17.7523
10
¥15.0629
150.629
100
¥12.0684
1206.84
500
¥10.5316
5265.8
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
140 A
Rds On-漏源导通电阻
7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
150 nC
Pd-功率耗散
330 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001563250
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTAB182002FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥714.0696
参考库存:37030
NVD5890NLT4G-VF01
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH
2,500:¥5.3675
5,000:¥5.1754
10,000:¥4.972
参考库存:37035
MPS3710
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
7,500:¥1.07576
10,000:¥0.99892
25,000:¥0.94468
50,000:¥0.92208
100,000:¥0.89157
参考库存:37040
PTFC260202FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥414.936
参考库存:37045
PTAC260302FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥500.5335
参考库存:37050

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    50万现货SKU

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