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晶体管
IPD40N03S4L-08参考图片

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IPD40N03S4L-08

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 40A DPAK-2 OptiMOS-T2
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数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥6.2602
62.602
100
¥4.8138
481.38
500
¥4.2488
2124.4
1,000
¥3.3561
3356.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
8.3 mOhms
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPD40N03S4L08ATMA1 IPD4N3S4L8XT SP000475916
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFI740GLCPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET
1:¥30.1258
10:¥24.973
100:¥20.5886
250:¥19.8993
500:¥17.8992
参考库存:28951
NSVMMBT5401WT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP HIGH VOLTAGE TRA
1:¥2.6103
10:¥1.7515
100:¥0.72998
1,000:¥0.49946
3,000:¥0.39211
参考库存:62573
HN1B04FE-GR,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
4,000:¥0.33787
参考库存:84535
TK290P65Y,RQ
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
1:¥12.1362
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
2,000:¥6.5766
参考库存:24107
PMZB1200UPEYL
Nexperia
晶体管
MOSFET 30V P-Channel Trench MOSFET
1:¥2.8476
10:¥1.8193
100:¥0.78422
1,000:¥0.5989
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:52239

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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