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晶体管
NTLJD3119CTBG参考图片

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NTLJD3119CTBG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET COMP 2X2 20V 3.8A 100mOhm
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库存:43,590(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.5312
253.12
1,000
¥2.0227
2022.7
3,000
¥1.7063
5118.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WDFN-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
21 V, 20 V
Id-连续漏极电流
3.8 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
710 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTLJD3119C
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
2 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
4.2 S, 3.1 S
下降时间
4.7 ns, 13.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.7 ns, 13.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11.1 ns, 13.7 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns, 5.2 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 60A
1:¥593.2048
5:¥582.289
10:¥567.2374
25:¥556.0956
参考库存:2259
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6331
500:¥5.8647
参考库存:4636
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
1:¥8.6106
10:¥7.4015
100:¥5.6839
500:¥5.0285
1,000:¥3.9663
参考库存:4148
晶体管
MOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFET
1:¥5.9212
10:¥4.9155
100:¥3.1866
250:¥3.1866
1,000:¥2.5538
参考库存:4430
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 50MA
1:¥2.9945
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.44522
参考库存:10827
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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