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晶体管
STGW25H120F2参考图片

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STGW25H120F2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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库存:3,127(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥60.3194
60.3194
10
¥54.4773
544.773
25
¥51.9461
1298.6525
100
¥45.1096
4510.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW25H120F2
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥10.9158
10:¥9.2999
100:¥7.1868
500:¥6.3506
2,500:¥4.4409
10,000:查看
参考库存:50034
晶体管
MOSFET PT8 Nch 40/20V Power Trench MOSFET
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.1642
3,000:¥5.537
6,000:查看
参考库存:13606
晶体管
MOSFET Dual NChnl Power Trench MOSFET
1:¥23.052
10:¥19.5942
100:¥16.9839
250:¥16.1364
3,000:¥11.6051
6,000:查看
参考库存:17633
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Trans 80Vcbo 50Vces 45Vceo 500mW
1:¥4.1471
10:¥3.5821
100:¥2.486
1,000:¥1.8419
参考库存:23100
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥39.1093
10:¥33.2672
100:¥28.815
250:¥27.3573
参考库存:4077
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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