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晶体管
IPB80P03P4-05参考图片

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IPB80P03P4-05

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
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库存：6,439(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.2889
15.2889
10
¥12.9837
129.837
100
¥10.3734
1037.34
500
¥9.0626
4531.3
1,000
¥7.5371
7537.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
137 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPB80P03P405ATMA1 IPB8P3P45XT SP000396282
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS20R06W1E3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 35A
1:¥202.0101
5:¥199.9422
10:¥186.337
25:¥177.9637
参考库存:6071
2N6454
InterFET
晶体管
JFET N-Ch -20Vgss -20V 10mA 360mW 2.88mW
117:¥55.935
500:¥51.0195
1,000:¥44.409
参考库存:49385
JANTX2N6547
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥506.8389
5:¥485.5497
10:¥477.0182
25:¥447.2088
参考库存:49390
RJH60F6DPQ-A0#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥46.9515
10:¥41.8778
25:¥37.7307
50:¥36.0357
参考库存:49395
DRA5115G0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:49400

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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