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晶体管
ZTX757参考图片

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ZTX757

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Super E-Line
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库存:25,564(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.8421
5.8421
10
¥4.9155
49.155
100
¥3.164
316.4
1,000
¥2.5312
2531.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 300 V
集电极—基极电压 VCBO
- 300 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
30 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX757
直流电流增益 hFE 最大值
50 at 100 mA, 5 V
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
50 at 100 mA, 5 V, 40 at 10 mA, 5 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 30V PNP
1:¥0.84524
10:¥0.7684
100:¥0.26894
1,000:¥0.18419
3,000:¥0.13786
参考库存:119561
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A PNP Medium Power Transistors
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:16148
晶体管
MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥0.99101
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.64523
参考库存:18250
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 100A 650V
1:¥890.1123
5:¥872.5973
10:¥831.9512
25:¥814.4249
参考库存:1182
晶体管
MOSFET TRENCH_MOSFETS
1:¥6.6105
10:¥5.65
100:¥4.3392
500:¥3.8307
1,000:¥3.0284
参考库存:15114
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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