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晶体管
D3S280N65B-U参考图片

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D3S280N65B-U

  • D3
  • 新批次
  • MOSFET 280 mOhm 650V Superjunction Power MOSFET in TO-220
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¥12.5995
12.5995
10
¥10.2152
102.152
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.1303
3565.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
D3 Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
12.5 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
22.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
99 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
D3
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FMMT624TC
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SuperSOT
10,000:¥1.4238
参考库存:41503
DCP51-16-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -45V
2,500:¥1.00683
参考库存:56398
SIHU6N65E-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
1:¥13.0628
10:¥10.9158
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:21400
P5B52HP2-5071
Shindengen
晶体管
MOSFET Hi Voltage Low Noise
3,000:¥8.9157
6,000:¥7.7631
9,000:¥7.5823
参考库存:41512
APTGT50H120T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥548.5585
参考库存:41517

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    50万现货SKU

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