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晶体管
FQPF9N25CT参考图片

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FQPF9N25CT

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库存:10,185(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.5994
10.5994
10
¥8.9948
89.948
100
¥6.9495
694.95
500
¥6.1359
3067.95
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
8.8 A
Rds On-漏源导通电阻
430 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQPF9N25C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
85 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
FQPF9N25CT_NL
单位重量
2.270 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:17729
晶体管
IGBT 模块 High Power Module
1:¥836.0192
5:¥820.7303
10:¥783.768
参考库存:2851
晶体管
MOSFET P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -9 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package
1:¥7.3789
10:¥6.2376
100:¥4.7912
500:¥4.2375
3,000:¥2.9606
9,000:查看
参考库存:36813
晶体管
MOSFET Dual N-Channel 60V 340mA
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
4,000:¥0.5537
参考库存:638045
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz
1:¥14.4414
10:¥12.9837
25:¥11.3678
100:¥10.4525
3,000:¥6.6444
6,000:查看
参考库存:14137
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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