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晶体管
IKP40N65H5XKSA1参考图片

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IKP40N65H5XKSA1

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库存:30,016(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.5833
27.5833
10
¥23.4362
234.362
100
¥20.2835
2028.35
250
¥19.2891
4822.275
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
74 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
高度
15.95 mm
长度
10.36 mm
宽度
4.57 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKP40N65H5 SP001001720
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 3.9 mo FET
5,000:¥7.0286
10,000:¥6.7574
参考库存:48903
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 150V NPN LED Driver HFE 100 VCE 0.25V
2,500:¥1.5594
参考库存:48908
晶体管
JFET N-Ch 40V 40Vgs JFET ENGINEERING HOLD
2,000:¥2.712
10,000:¥2.6103
24,000:¥2.5312
参考库存:48913
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
500:¥15.0629
1,000:¥12.6786
2,500:¥12.0684
5,000:¥11.6051
参考库存:48918
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805--1880 MHz, 50 W AVG., 28 V
250:¥847.5452
参考库存:48923
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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