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晶体管
IPP062NE7N3 G参考图片

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IPP062NE7N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:7,892(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.8313
15.8313
10
¥13.447
134.47
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.379
4689.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
6.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
48 nS
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 nS
零件号别名
IPP062NE7N3GXKSA1 IPP62NE7N3GXK SP000819768
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 SS Mid-Perf Transistor SOT23 T&R 3K
1:¥4.2262
10:¥3.4578
100:¥2.147
1,000:¥1.695
3,000:¥1.4577
9,000:¥1.3334
参考库存:13386
晶体管
MOSFET 30V 8A 3W AEC-Q101 Qualified
1:¥4.9155
10:¥4.2601
100:¥3.2092
500:¥2.373
3,000:¥1.6385
6,000:查看
参考库存:93738
晶体管
MOSFET 60V NChnl Power Trench MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.6444
100:¥5.0963
500:¥4.4974
3,000:¥3.1527
9,000:查看
参考库存:17415
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥91.7447
10:¥83.4505
25:¥77.1451
50:¥72.998
参考库存:3837
晶体管
MOSFET 40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥23.278
10:¥19.3682
100:¥15.9104
250:¥15.4471
参考库存:5699
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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