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晶体管
IPP90R1K2C3参考图片

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IPP90R1K2C3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 900V 5.1A TO220-3 CoolMOS C3
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数量单价合计
1
¥11.9893
11.9893
10
¥10.2152
102.152
100
¥8.1473
814.73
500
¥7.1642
3582.1
1,000
¥5.9325
5932.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
5.1 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
830 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
400 ns
典型接通延迟时间
70 ns
零件号别名
IPP90R1K2C3XKSA1 IPP9R1K2C3XK SP000683096
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN,0.6A,40V GenPur
9,000:¥0.3842
参考库存:51471
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 Watt
暂无价格
参考库存:51476
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥117.8703
250:¥107.4969
500:¥100.5022
1,000:¥92.208
参考库存:51481
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP,0.2A,40V GenPur
9,000:¥0.36838
参考库存:51486
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥730.9066
参考库存:51491
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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