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晶体管
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STW45NM60

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650 Volt 45 Amp
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库存：6,907(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥84.75
84.75
10
¥77.9135
779.135
25
¥74.693
1867.325
100
¥65.7773
6577.73
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
45 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
417 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
系列
STW45NM60
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型接通延迟时间
30 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS300R17KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1700V 300A 3-PHASE
4:¥4,329.8549
8:¥4,068.904
参考库存:51351
JAN2N2907AUB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥76.0716
250:¥69.3142
500:¥64.8507
1,000:¥59.4719
参考库存:51356
TPC6010-H(TE85L,FM
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 60V FET 6.1A 2.2W 640pF
暂无价格
参考库存:51361
CGHV40180F
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT
1:¥2,663.9637
参考库存:1834
STP260N6F6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A DeepGATE VI
1:¥46.7142
10:¥39.7308
100:¥34.4198
250:¥32.657
参考库存:6631

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    50万现货SKU

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