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晶体管
IRFB61N15DPBF参考图片

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IRFB61N15DPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 95nC
  • 数据手册下载
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库存:10,397(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.1309
19.1309
10
¥16.2155
162.155
100
¥12.9837
1298.37
500
¥11.3678
5683.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
32 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
95 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
330 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Smps MOSFET
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
51 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
110 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
SP001560242
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET LV POWER MOS
1:¥13.2888
10:¥11.30
100:¥8.9948
500:¥7.91
5,000:¥5.8873
10,000:查看
参考库存:28789
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
10,000:¥0.46104
20,000:查看
参考库存:74496
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-723 -50V VCC -0.1A IC
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
2,500:¥0.25312
8,000:¥0.2147
参考库存:38168
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥70.3086
10:¥63.5512
25:¥60.5454
100:¥52.5563
1,700:¥38.42
参考库存:11175
晶体管
MOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥28.3517
10:¥23.5153
100:¥19.3682
250:¥18.7467
500:¥16.8257
3,000:¥16.8257
参考库存:140067
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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