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晶体管
DMT68M8LSS-13参考图片

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DMT68M8LSS-13

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库存:614,475(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.6273
36.273
100
¥2.2148
221.48
1,000
¥1.7063
1706.3
2,500
¥1.4577
3644.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
28.9 A
Rds On-漏源导通电阻
6.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.9 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
13.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25.2 ns
典型接通延迟时间
4.6 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V 4 0A UFD
1:¥35.5046
10:¥30.1936
100:¥26.1256
250:¥24.8148
500:¥22.2836
参考库存:3507
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/50V/100mA
1:¥1.8419
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
参考库存:178549
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥23.8995
10:¥19.8202
100:¥15.368
500:¥13.447
1,000:¥11.1418
参考库存:6236
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET
1:¥13.2888
10:¥11.0627
参考库存:8723
晶体管
MOSFET SO-8 COMP N-P-CH
1:¥9.2208
10:¥7.91
100:¥6.0455
500:¥5.3449
2,500:¥3.7403
10,000:查看
参考库存:13305
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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