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晶体管
FP10R06W1E3参考图片

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FP10R06W1E3

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库存:1,078(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥225.9887
225.9887
5
¥223.6835
1118.4175
10
¥208.4624
2084.624
25
¥199.0947
4977.3675
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
68 W
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FP10R06W1E3BOMA1 SP000092044
单位重量
24 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -55V -74A 20mOhm 120nC
1:¥15.0629
10:¥12.8368
100:¥10.2152
500:¥8.9948
1,000:¥7.458
参考库存:90449
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 250A 6500V
1:¥16,162.9098
5:¥15,904.5014
参考库存:2926
晶体管
MOSFET 60V N-CH. Low Side MOSFET
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,500:¥2.7007
参考库存:22053
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:16950
晶体管
MOSFET 4V Drive Pch+Pc Si MOSFET
1:¥4.068
10:¥3.3674
100:¥2.0566
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.356
参考库存:13262
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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