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晶体管
FP10R06W1E3参考图片

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FP10R06W1E3

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库存:1,078(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥225.9887
225.9887
5
¥223.6835
1118.4175
10
¥208.4624
2084.624
25
¥199.0947
4977.3675
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
在25 C的连续集电极电流
16 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
68 W
封装 / 箱体
EASY1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
12 mm
长度
62.8 mm
宽度
33.8 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FP10R06W1E3BOMA1 SP000092044
单位重量
24 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch 100 Volt 5.2A
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6105
500:¥5.8421
1,000:¥4.6104
2,500:¥4.6104
参考库存:271250
晶体管
MOSFET 200V P-Channel QFET
1:¥9.2999
10:¥7.91
100:¥6.1133
500:¥5.4014
参考库存:9642
晶体管
MOSFET Single N-CH 60V 11A, 37A
1:¥5.1528
10:¥4.2488
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
1,500:¥1.8532
参考库存:84199
晶体管
MOSFET MOSFET, 40V, 195A, 1 216 nC Qg, TO-220AB
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6051
500:¥10.1474
参考库存:12796
晶体管
MOSFET Auto 55V N-Ch FET 2.0mOhm 240A
1:¥33.3463
10:¥28.3517
100:¥24.5888
250:¥23.278
800:¥17.6732
2,400:查看
参考库存:6663
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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